三星、SK海力士升级中国工厂，计划生产更先进的存储芯片，知情人士透露

路透社｜2026年10月21日 作者：Hyunjoo Jin、Liam Mo、Karen Freifeld

核心摘要

• 三星计划到2027年，将西安工厂升级至生产286层NAND闪存芯片。

• SK海力士计划在大连工厂生产240层或更高层数的NAND闪存芯片。

• SK海力士可能向美国申请许可，以便在大连开展更先进NAND技术的研发。

首尔／北京／纽约，10月21日（路透社）——

四名知情人士透露，三星电子和SK海力士正在升级其位于中国的工厂，以生产更先进的存储芯片。此举旨在应对快速崛起的中国竞争对手，同时满足人工智能领域的巨大需求。

自2022年美国开始对部分芯片制造设备实施出口管制以来，如何决定对中国业务的投资规模，已经成为这两家韩国半导体巨头面临的棘手问题。美国实施相关限制的目的，是减缓中国在半导体技术领域的发展速度。

目前，如果三星和SK海力士希望在中国工厂安装美国制造的设备，例如刻蚀机，就必须每年申请美国出口许可证。

美国商务部工业与安全局（BIS）还在2025年表示，不打算批准外国芯片制造商在中国工厂进行技术升级或扩大产能的相关许可。

这些监管障碍限制了两家公司对中国工厂进行设备改造和升级的能力，也在一定程度上导致其市场份额被长江存储（YMTC）抢占。

韩国芯片企业的高管此前已公开警告，地缘政治紧张局势正在削弱其中国业务的竞争力。

三星向路透社证实，公司正在推进工厂升级，并且与美国政府保持密切沟通。

SK海力士也表示，公司一直在与美国政府协商的情况下，向位于中国东北地区的大连工厂安装设备。

不过，两家公司均未披露此次路透社首次报道的具体生产计划。

路透社尚无法确定，美国监管部门在多大程度上已经批准三星和SK海力士升级工厂所需的设备出口许可证。

据知情人士透露，两家公司正在努力使其中国工厂具备生产200层以上NAND闪存芯片的能力。目前，这些工厂生产的产品技术水平仍落后于两家公司在韩国生产的芯片。

NAND是一种断电后仍能保存数据的存储芯片，广泛应用于智能手机、个人电脑以及AI数据中心使用的固态硬盘（SSD）。

一般而言，NAND堆叠层数越高，单位芯片的存储密度越大，制造成本也越有机会降低。

这篇报道发布后，三星电子和SK海力士股价周三均上涨约6%。

一、三星瞄准286层NAND芯片

两名知情人士透露，三星位于中国西北地区的西安工厂，目前生产约200层的NAND闪存芯片。

该工厂约占三星全球NAND产量的40%，是三星全球存储芯片制造体系的重要组成部分。

根据一名知情人士透露，三星正在推进一项内部代号为“Monami”的升级项目。Monami源自法语“mon ami”，意为“我的朋友”。

该项目计划将西安工厂改造为能够生产286层V9 NAND芯片的制造基地。

按照规划，三星希望在2026年12月实现每月5000片晶圆的产出，并在2027年12月将月产量提高至4万片晶圆。

三星表示，相关升级符合美国出口管制规定。

公司在声明中强调：

“此次升级旨在满足全球客户不断增长的需求，包括美国客户。公司不会扩大生产能力，也不会建设新的制造设施。”

这意味着，三星计划主要通过现有生产设施的技术升级，提高中国工厂生产先进NAND芯片的能力，而不是新建晶圆厂或扩大整体产能。

二、SK海力士计划升级大连工厂

三名知情人士透露，SK海力士正在考虑将中国大连工厂升级为能够生产240层或更高层数NAND闪存芯片的基地。

一名知情人士表示，该工厂目前生产192层NAND产品。

SK海力士于2021年收购英特尔NAND业务时获得大连工厂，该工厂至今仍是相关业务唯一的NAND芯片制造基地。

这项业务目前以Solidigm品牌运营。

路透社上个月曾报道，Solidigm正在为赴美首次公开募股（IPO）做准备。

一名知情人士透露，SK海力士目前已获准在大连工厂生产最高240层的NAND芯片。

公司还可能向美国政府申请许可，在大连开展300层以上NAND技术的研发工作，为未来可能在美国进行相关生产奠定技术基础。

与此同时，SK海力士正在与特朗普政府讨论在美国建设一座新的NAND晶圆厂的计划。

对于韩国企业相关设备出口许可的具体审批情况，美国商务部工业与安全局没有直接回答路透社的问题。

该机构援引其2025年的声明表示，美国政府计划批准这些企业维持中国现有工厂运营所需的许可证申请，但不打算批准扩大产能或升级技术的申请。

三、长江存储快速崛起

在三星和SK海力士持续权衡中国工厂投资规模的同时，中国存储芯片制造商长江存储取得了显著进展。

根据市场研究机构Omdia的数据，2026年第二季度，长江存储在中国NAND市场的份额达到38.5%，高于2025年全年的28%，并且已经超过三星电子。

同期，三星在中国NAND市场的份额从36%下降至33.5%，SK海力士则从20%下降至17%。

中国NAND市场份额变化如下：

数据来源：Omdia，经路透社报道。2025年为全年份额，2026年为第二季度份额，统计期间不同。

另据两名知情人士透露，长江存储目前的产品主要包括160层和232层NAND闪存芯片，同时已经少量生产294层NAND芯片。

公司还计划进一步推进300层以上NAND产品的制造。

长江存储没有回应路透社的置评请求。

相比之下，三星目前在中国以外的市场销售最高286层的NAND产品，并且已于今年8月展示超过400层NAND的原型芯片。

SK海力士目前销售的NAND产品最高达到321层。

这意味着，虽然长江存储正在迅速缩小与国际存储巨头之间的技术差距，但三星和SK海力士仍然在更高堆叠层数的NAND产品方面保持布局。

与此同时，两家韩国企业在中国工厂推进先进制程升级，仍然面临美国出口管制政策带来的不确定性。

报道来源：Reuters（路透社）

原标题：Samsung, SK Hynix upgrading China plants to make more advanced chips, people say

发布时间：2026年10月21日

记者：Hyunjoo Jin、Liam Mo、Karen Freifeld

点击看：科技部明确：全链条推动集成电路攻关！ICCAD就是这条链！