长鑫科技集团股份有限公司关于使用部分超募资金投资建设新项目的公告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

重要内容提示：

 超募资金金额及使用用途

长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“公司”、“长鑫科技”）拟使用超募资金人民币 130.00 亿元投资新建技术研发项目，同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称“长鑫产品合肥”）提供超募资金人民币50.00 亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

 公司于2026 年9月28日召开第二届董事会第六次会议，审议通过了《关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案》。中国国际金融股份有限公司、中信建投证券股份有限公司（以下简称“保荐机构”）对本事项出具了明确无异议的核查意见。该议案尚需提交公司股东会审议。

 本次投资不构成关联交易，亦不构成重大资产重组。

 相关风险提示：本项目实施过程中可能存在宏观政策、市场环境、团队建设、项目进度等方面的不确定性风险。敬请广大投资者理性投资，并注意投资风险。

一、募集资金基本情况

根据中国证券监督管理委员会《关于同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可〔2026〕1344 号），公司首次公开发行人民币普通股（A 股）7,691,301,608 股（含超额配售选择权全额行使），募集资金总额为人民币 6,660,667.19 万元，扣除发行费用（不含增值税，含印花税）人民币29,627.82 万元，募集资金净额为人民币6,631,039.38 万元。上述募集资金到位情况已经德勤华永会计师事务所（特殊普通合伙）审验，并出具了《验资报告》（德师报（验）字（26）第00292 号、德师报（验）字（26）第00306 号）。

公司对募集资金采取了专户存储制度，设立了相关募集资金专项账户。募集资金到账后，已全部存放于经公司董事会批准开设的募集资金专项账户内，公司与保荐机构、存放募集资金的商业银行签署了募集资金监管协议。

二、超募资金使用安排

（一）项目基本情况

1、技术研发项目

2、长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目

（二）项目必要性分析

1、加速公司技术和产品迭代升级，满足下游应用需求与技术范式转变

构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。这不仅是满足市场需求的关键，更是构筑企业深厚护城河、提升抗风险能力的必由之路。

因此，公司拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时，也有利于公司更快的推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。

2、保障后道测试产能，提升运营效率，降低测试成本，完善 IDM模式

测试是 DRAM 生产中不可或缺的关键环节，但因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。

同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司 DRAM 芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善IDM 模式、增强公司的整体竞争力。

（三）项目可行性分析

1、政策环境有利，产业基础雄厚，具备实施项目的区位基础

集成电路产业是国家重点鼓励发展的战略性新兴产业，存储芯片关系到国家信息和产业安全。国务院及相关部委陆续出台多个政策，鼓励集成电路产业发展。超募项目建设符合国家和安徽省产业发展规划及相关产业政策，产业政策风险较小。

其次，本次超募项目建设地点均在公司厂内，公司采用IDM 模式开展经营，具有资源的内部整合优势，具备从芯片设计到完成制造的完整生产环节基础设施和技术积累，有效保障了产品升级、技术研发等产业发展所需的基础积累和知识产权积累。

2、公司充足的技术储备和量产经验、高质量的研发人才队伍，为项目顺利实施奠定坚实基础、提供有力支撑

公司始终坚持自主研发道路，并通过跳代研发加快技术创新，完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，以及从 DDR4、LPDDR4X 到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6 的产品覆盖和代际演进，目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。经过多年发展，公司已在DRAM 产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了完善的核心技术体系，形成了全面的自主知识产权积累，并在技术快速迭代和产业化方面积累了丰富的经验，同时也为 DRAM 存储行业培养了一大批专业技术人才。截至 2026 年6 月30日，公司共拥有4,484 项境内专利（其中发明专利3,744 项）以及3,400 项境外专利，拥有 7,491 名研发人员，占公司员工总数的比例超过33%。

公司多年来所积累的技术创新成果、持续的技术创新能力以及所构建的人才队伍是超募项目实施的重要保障。

3、产业生态为项目顺利实施提供了充分保障

作为中国 DRAM 产业链的链主企业，基于自身强大的产业影响力，公司已与上游供应商和下游客户建立了紧密的战略合作关系，共同构建了相互依存的产业生态，为公司的业务持续发展并积极参与全球竞争奠定了坚实的基础。

经过长期发展，公司与上游 EDA厂商、材料厂商、设备及零部件厂商等供应商建立了稳固的合作关系，并通过深化产业链合作，增强了供应链的安全保障能力，为本次超募项目的顺利实施提供了充分保障，并为公司产能持续扩充和技术工艺升级提供了有力支撑。

（四）项目投资概算及经济效益

1、技术研发项目

本项目计划投资总额为 241 亿元，其中拟使用超募资金投入金额 130.00 亿元，资金使用计划如下：

单位：亿元

注：合计数与各部分数直接相加之和在尾数存在的差异系由四舍五入造成（下同）。

本项目投资建设期为 30 个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。本项目为研发项目，不单独进行投资回报测算，本项目最终产生的经济利益，是通过技术赋能公司主营产品，促进公司主营业务增长表现出来的。项目建成后将推动技术创新突破，加速科技成果转化，带动产业升级。本项目的实施，有利于公司进一步保持和增强技术研发实力，有助于增强公司的市场地位，提升公司整体核心竞争力。

2、长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目

本项目计划投资总额为108 亿元，其中公司将通过向长鑫产品合肥增资和提供借款方式投入超募资金金额50.00 亿元，资金使用计划如下：

单位：亿元

本项目投资建设期为 37 个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。经测算，项目内部收益率及总投资收益率均处于合理区间，经济效益良好。有利于促进公司进一步完善IDM 运营模式，实现从前道至后道的产业链整合，有利于解决公司新增测试产能不足问题，保障后道产能供应链安全，有效降低测试成本，提升公司整体运营能力，从而提升公司整体核心竞争力。

（五）项目主要风险分析

1、如国家或地方有关政策调整、项目审批等实施条件发生变化，超募项目的实施可能存在顺延、变更、中止甚至终止的风险；

2、公司使用部分超募资金投资建设新项目，是基于当前经济形势、行业前景等综合因素作出的决定。超募资金投资项目实施过程中，面临行业政策变化、市场变化、项目管理等诸多不确定因素，可能存在项目进程未达预期的风险；

3、技术研发难题风险：尽管公司在研发课题立项前会开展可行性论证，但因技术研发本身包含一定假设与预判，仍可能在研发过程中遭遇难以突破的技术瓶颈，导致研发成果未达预期目标；

4、效益不达预期的风险：若新建产能无法在预期时间内实现满产，新增的人力成本、设备折旧及厂房运维费用将对企业阶段性财务表现形成压力。敬请广大投资者关注市场增速或客户扩产节奏不及预期导致产能闲置的风险。

（六）保障超募资金安全的措施

超募项目相关审批程序履行完成后，公司将开立募集资金专用账户，专项存储投入的超募资金，并与保荐机构和存放募集资金的商业银行签署募集资金专户存储监管协议，公司将根据新建项目的实施进度，逐步投入募集资金并对项目实施单独建账核算。公司将严格按照《上市公司募集资金监管规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》及公司《募集资金管理办法》的相关规定使用和管理募集资金，并严格按照相关法律法规的规定和要求及时履行信息披露义务。

三、适用的审议程序及保荐机构意见

（一）履行的审议程序

2026 年9月28日，公司召开第二届董事会第六次会议，审议通过了《关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案》，同意公司使用部分超募资金新建募集资金投资项目。该议案尚需提交公司股东会审议。

（二）保荐机构核查意见

经核查，保荐机构认为：公司本次使用部分超募资金投资建设新项目事项已经公司第二届董事会第六次会议审议通过，尚需提交公司股东会审议，履行了必要的审议程序，符合《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上市公司募集资金监管规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号——规范运作》等相关规定要求。

综上，保荐机构对公司使用部分超募资金投资建设新项目事宜无异议。

特此公告。

长鑫科技集团股份有限公司董事会

2026 年 9 月 29 日