共成长｜ 长飞先进高性能SiC MOSFET系列芯片正式发布

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长飞先进高性能SiC MOSFET系列芯片正式发布。

近日，以"巅峰之上·跨越四年的技术长征"为主题的长飞先进技术发布会在深圳举行。会上，鲁信创投在管基金投资项目——长飞先进自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线正式对外亮相，第四、第五、第六代产品同台发布，中高压规格实现1500V—3300V全覆盖。

从新能源汽车800V—1000V+高压平台与超快充，到AI数据中心高压直流供电，SiC MOSFET的战略地位日益凸显，应用版图正从新能源汽车加速向工业、能源及算力基础设施全面拓展。围绕器件比导通电阻（Rsp）、长期可靠性、鲁棒性及功率等级，业内厂商正展开激烈角逐。长飞先进凭借覆盖SiC外延生长、器件设计、晶圆制造及模块封测的全产业链能力，通过持续技术迭代，实现了从追赶、并跑到领先的跨越。

第四代PG4E：多级P阱注入，长时可靠性与鲁棒性双升级

第四代平面型SiC MOSFET采用先进的多级P阱注入技术，实现优化的体区掺杂分布：既增强体区对栅氧的屏蔽作用、提高长时可靠性，又降低体区横向电阻、抑制寄生三极管开启，从而提高短路耐量和雪崩耐量。

以1200V首发规格为例，常温和高温（175°C）比导通电阻Rsp分别为2.2mΩ·cm2和4.4mΩ·cm2。车规标准试验条件下，反向偏置电压提升至1400V，经3000小时可靠性考核，器件参数变异性均符合车规要求，其中阈值电压Vth变异性小于3.5%、耐压BV变异性小于1%、导通电阻Ron变异性小于1%。

鲁棒性方面，短路耐受时间达2.1μs，较竞品提升27%；雪崩能量EAS达2711mJ，较竞品提升11.2%。

第五代PG5E：元胞结合垂直结构设计，高温与EMI特性更优

针对器件损耗带来的温升散热要求，以及快速开关带来的信号串扰、环路震荡等EMI问题，第五代产品从两个维度系统优化：

元胞尺寸较前代微缩超15%，沟道长度微缩10%，常温及高温（175°C）Rsp分别降至1.9mΩ·cm2和3.7mΩ·cm2，较上一代降低约13.5%；体现耐压与导通电阻折中性能的Baliga优值（BFOM）大于1300MW/cm2，达到业界先进水平。

同时通过高能离子注入技术精确控制局部掺杂，大幅优化体二极管反向恢复特性：反向恢复电流Irrm较主流水平降低5.7%，软度因子提升27%，有效抑制反向恢复振荡，降低器件电应力。

第六代PG6N：更高能效，更耐高温

面向新能源汽车对高续航和高功率密度的追求，第六代产品多维度全面升级：引入IC制程迭代思路，沟道密度提升约15%、沟道电阻降低20%；采用高能量注入方案结合局部半超结概念，大幅改善导通电阻与耐压的折中关系；晶圆最终厚度较前代减少超30%，有效缩短散热路径。

实测常温及高温（175°C）Rsp分别降至1.7mΩ·cm2和3.2mΩ·cm2，较上一代分别降低约12%和13.5%；按车规常用的5mm×5mm芯片尺寸，175°C下Ron低至16mΩ。耐温能力方面，通过终端结构更新与膜层应力重新匹配，器件在200°C甚至225°C环境温度下依然保持良好可靠性。

中高压系列：1500V—3300V全覆盖

面向新能源汽车1000V+主驱平台、固态变压器（SST）等中高压应用，长飞先进在PG4E成熟平台基础上积极开发更高电压规格。针对1000V+主驱更高母线电压下的短路工况，1500V、1700V规格采用短路增强设计，Rsp分别达2.7mΩ·cm2和3.6mΩ·cm2，BFOM较市场主流水平分别提升约20.1%和27.3%；2300V、3300V规格Rsp分别为5mΩ·cm2和12.5mΩ·cm2，终端结构采用抗界面电荷设计，BFOM较市场主流水平分别提升约15.2%和14.7%。

电压规格的提升，意味着更少的系统模块单元和更简化的应用系统。鲁信创投将持续发挥耐心资本优势，陪伴长飞先进等硬科技企业深耕第三代半导体，以技术创新驱动产业升级。

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