报告前瞻 | 九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究_IFWS&SSLCHINA 2026

2026年11月16-19日，第十二届国际第三代半导体论坛暨第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）将在江苏苏州召开。九峰山实验室功率器件负责人/碳化硅首席专家袁俊受邀将出席论坛，并带来《新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究》的主题报告。 

当前全球碳化硅产业正从“单点突破”加速迈向全链条体系化成熟。车规级SiC MOSFET在新能源汽车主驱市场的渗透率持续攀升，AI数据中心、高压光伏储能等新兴场景，对碳化硅器件的功率密度、导通损耗、高温可靠性提出了更高要求。传统平面栅碳化硅器件的性能潜力已逐步逼近技术天花板，新型沟槽结构与超结结构，成为下一代碳化硅器件实现性能跃升的核心技术路线，也是国内产业打破海外技术垄断、实现原始创新突破的关键赛道。 

九峰山实验室是国内少数能同步开展沟槽MOSFET、碳化硅超结器件前沿研究的科研载体，多项成果已实现向产业端的快速转化落地。袁俊作为实验室功率器件板块的核心负责人，拥有碳化硅器件研发与产业化经验，长期深耕车规级碳化硅沟槽器件、超结器件的技术攻关，带领团队解决了多项长期制约国产碳化硅器件性能提升的核心工艺难题，相关研究成果已在多家国内头部功率半导体企业实现量产导入。报告将介绍九峰山实验室平台新型SiC功率器件的研究，在下一代碳化硅沟槽器件成套工艺，新型多级沟槽JBS/MPS二极管，新型沟槽MOSFET，沟槽超结等器件技术方面的研究布局和技术开发进展。详情敬请关注！

嘉宾简介

袁俊，高级工程师，九峰山实验室功率器件负责人，专注于化合物半导体材料及芯片研究。在INTEL,IMFT(美国), 德国Fraunhofer， 华为海思，九峰山实验室等国内外一线半导体公司及研究所工作学习超15年。参与及负责三十余款规模发货化合物芯片，2020年成功开发世界首个6/8寸 SOI-SiN-LD-TFLN全集成量产级工艺平台及系列产品。曾获多项华为总裁奖，公司十大发明等奖项荣誉。作为核心器件研发人员/课题负责人参与核高基“碳化硅三端器件""宇航级碳化硅高压二极管", 尖刀计划“氧化镓半导体材料与器件”等多个国家及省市重点项目。一作或通讯发表包括EDL,TED，TPEL等SCI/EI论文三十余篇，国内功率芯片相关授权发明专利150余项，国际专利30余项。 

团队介绍

九峰山实验室于2021年由湖北省人民政府正式批复组建，是湖北实验室之一。实验室面向世界科技前沿，面向国民经济主战场和国家重大需求，以建设先进的化合物半导体研发和创新中心为愿景，在中国光谷建立起全球一流的化合物半导体工艺、检测基础设施，打造公共、开放、共享的科研平台。 

报告前瞻

新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究

Research on Novel Silicon Carbide Trench MOSFET and Superjunction Power Devices

基于SiC MOSFET的固态变压器（SST）解决方案在HVDC应用中展现出巨大的潜力。降低导通电阻和提高电流能力对性能和成本至关重要。沟道电阻（Rch）和漂移区电阻（Rdrift）主导导通电阻。沟槽栅极增加了沟道密度并降低了Rch，而超结（SJ）技术可以进一步降低Rdrift。本研究展示了一种具有极小单元间距的新型全P封装沟槽MOSFET和基于沟道注入的SJ MOSFET。

全P封装沟槽MOSFET采用N-P-N外延结构[2]。三维周期性单元布局使P型埋层接地，提供优异的电场屏蔽，同时提高了短路可靠性。所制造的器件具有1.8μm的电池间距，其击穿电压（BV）为1.6 kV，比导通电阻（Ron，sp）为1.67 mΩ·cm2。

SiC SJ MOSFET采用了特殊的低温沟道注入和第二外延生长步骤[2]。单个注入步骤形成SJ P柱，以提高制造成本。三维周期性P型屏蔽区域降低了栅极氧化物电场，提高了长期可靠性。所制造的1200V 4H-SiC SJ沟槽MOSFET具有2.8μm的单元间距，实现了1.35 mΩ·cm2的特定导通电阻（Ron，sp）。 

Solid-state transformer (SST) solutions based on SiC MOSFETs are promising for HVDC applications. Reducing on-resistance and increasing current ability is critical for performance and cost. Channel resistance (R_ch) and drift region resistance (R_drift) dominate the on-resistance. Trench gates increase channel density and reduce R_ch, while Superjunction (SJ) technology could further driving down the R_drift. This research demos a novel full-P encapsulated trench MOSFET with extremely small cell pitch, and SJ MOSFET based on channeling implantation. 

The full-P encapsulated trench MOSFET utilized an N-P-N epitaxial structure [2]. A three-dimensional periodic cell layout grounds the P-type buried layer, providing excellent electric-field shielding, while enhances the short-circuit reliability. The fabricated device with a 1.8 μm cell pitch achieves a breakdown voltage (BV) of 1.6 kV and a specific on-resistance (R_on,sp) of 1.67 mΩ·cm2.

The SiC SJ MOSFET utilized a special low-temperature channeling implantation and second epitaxial growth step [2]. A single implantation step forms the SJ P-pillar to enhance fabrication cost. Three-dimensionally periodic P-type shielding regions lower the gate-oxide electric field and improve long-term reliability. The fabricated 1200V 4H-SiC SJ trench MOSFET with a 2.8μm cell pitch achieves a specific on-resistance (R_on,sp) of 1.35 mΩ·cm2.

关于论坛

（论坛资料图片）

作为国内第三代半导体领域历史最久、规格最高、覆盖最广的全球性行业年度盛会，活动累计邀约百余位海内外院士、多位诺贝尔奖得主亲临分享，汇聚全球3900余名顶尖专家、企业高管、投资人参会演讲，举办过480余场专题峰会，提交学术论文6020余篇，参会人员来自全球90余个国家和地区，合作伙伴1980多家，线下参会总规模突破47600人次。论坛长期深耕学术建设，拥有强大的程序委员会专家阵容，并与IEEE建立稳定官方合作关系，论坛征稿备受业界专家学者关注，学术权威性与全球认可度位居行业前列。在全球5G-A基站产能扩容、AI算力驱动光电融合加速的产业背景下，围绕宽禁带半导体材料物性、光电子研发、器件创新、核心设备攻关等全产业链核心方向展开深度研讨。

本届论坛依托苏州本地完善的半导体产业链配套与技术积淀，以AI时代产业新需求为核心锚点，设置1场主论坛、6大主题方向20余场技术分会及多场专题峰会等在内近30余场活动，覆盖碳化硅衬底与器件技术、氮化镓功率与射频技术、车规级器件可靠性验证、先进封装与设备国产化等全链条热点议题。串联起从基础材料、核心设备到终端应用的全产业链创新脉络，是全球半导体人每年不可缺席的技术交流与产业对接平台。

大会同期将举办2026先进半导体技术应用创新展、顶刊交流会、企业考察等配套活动，目前【重要提醒】2026年度中国第三代半导体技术十大进展征集火热申报中，所有论文投稿收录至大会论文集，首批嘉宾名单出炉！IFWS&SSLCHINA 2026将于11月苏州启幕，优秀成果将直接推荐至SCI期刊发布。

届时，来自全球高校院所、产业链头部企业的顶尖专家与行业代表将齐聚苏州，共同围绕第三代半导体技术突破、规模化落地与跨场景融合等核心议题展开交流。 首批嘉宾名单及会议早鸟优惠信息详情如下：

首批嘉宾名单

向上滑动阅览全文（不分先后）

张   荣 -- 中国科学院院士、厦门大学党委书记、教授

刘纪美--美国国家工程院院士、香港工程科学院院士、香港科技大学荣休教授

沈   波 -- 北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、博雅特聘教授

徐   科 -- 江苏第三代半导体研究院院长、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）副主任、中国科学院苏州纳米所研究员

张   波 -- 电子科技大学集成电路研究中心主任、教授

邱宇峰 -- 厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长

徐现刚 -- 山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

盛   况 -- 湖州师范大学校长、浙江大学求是特聘教授

陈   敬 -- 香港科技大学教授

吴伟东 -- 加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任

张进成 -- 西安电子科技大学副校长、教授

黎大兵 -- 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所副所长、研究员

张鲁川 -- 国家第三代半导体技术创新中心主任

丁琪超 -- 九峰山实验室主任

万玉喜 -- 深圳平湖实验室主任

黄伯宁 -- 华为数字能源技术有限公司首席技术官

张   韵 -- 中国科学院半导体研究所副所长

柏   松 -- 中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任

王新强 -- 北京大学东莞光电研究院院长、博雅特聘教授

董博宇 -- 北方华创科技集团股份有限公司总裁

郭世平 -- 中微半导体设备 (上海) 有限公司副总裁

Victor Veliadis-- PowerAmerica 执行董事兼首席技术官、北卡罗莱纳州立大学教授、IEEE 宽禁带半导体技术路线图委员会（ITRW）主席，美国国家发明家科学院院士

三宅秀人-- 日本三重大学教授

Peter Friedrichs-- 英飞凌Fellow&碳化硅事业部副总裁

Yuri Makarov -- Nitride Crystals Inc. 创始人兼总裁

Motoaki Iwaya -- 日本名城大学教授

Alberto CASTELLAZZI -- 日本京都先端科学大学工学部教授、固态功率处理（SP2）实验室负责人

滨田公守 -- 日本华为股份有限公司高级首席专家

陈传彤 -- 日本大阪大学产业科学研究所教授

Ewa Grzanka -- 波兰科学院高压物理研究所（UNIPRESS）半导体表征实验室研究员

Hiroshi Fujioka -- 东京大学教授

Fausto Stella Politecnico di Torino--意大利都灵理工大学教授

Kim Munho -- 新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院终身副教授、纳米工程器件实验室（NEDL）负责人

Markus Pristovsek-- 日本名古屋大学未来材料与系统研究所附属未来电子集成研究中心特任教授

郭其新 -- 日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子工程系教授

陈堂胜 -- 中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家

冯志红 -- 中国电子科技集团有限公司第十三研究所首席科学家，专用集成电路国家级重点实验室副主任

康俊勇 -- 厦门大学教授

陶绪堂 -- 山东大学讲席教授

张   龙 -- 中科院上海光学精密机械研究所所长

单崇新 -- 郑州大学副校长、教授

迟   楠 -- 复旦大学副校长、教授

陈敦军 -- 南京大学电子科学与工程学院副院长、教授

龙世兵 -- 中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授

惠   峰 -- 云南锗业公司首席科学家

叶建东 -- 南京大学电子科学与工程学院副院长、教授

罗小蓉 -- 成都信息工程大学副校长，电子科技大学教授

齐红基 -- 中国科学院上海光学精密机械研究所研究员、杭州光学精密机械研究所所长、杭州富加镓业科技有限公司董事长兼总经理

刘   斌 -- 南京大学电子科学与工程学院院长、教授

汪   莱 -- 清华大学电子工程系长聘教授

黄   凯 -- 厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授

王军喜 -- 中国科学院半导体研究所研究员、宽禁带半导体研发中心主任

张乃千 -- 苏州能讯高能半导体有限公司董事长

欧   欣 -- 中科院上海微系统所重点实验室主任、中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员

万   青 -- 甬江实验室功能材料与器件异构集成研究中心主任

冯   淦-- 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理

张玉明-- 西安电子科技大学微电子学院原院长、教授

皮孝东-- 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长、教授

陈秀芳-- 山东大学教授

梅云辉-- 天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授

王来利-- 西安交通大学教授

赵丽霞-- 天津工业大学科学技术研究院院长、教授

刘朝辉-- 国家新能源汽车技术创新中心总师、动力系统业务单元负责人

吴毅锋-- 珠海镓未来科技有限公司总裁

吴新科-- 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院副院长、教授

潘   琪-- 台达电力电子研发中心负责人

潘尧波 -- 中天晶科（宁波）半导体材料有限公司董事兼总经理

修向前 -- 南京大学电子科学与工程学院教授

张清纯 -- 复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任

梁剑波 -- 国家第三代半导体技术创新中心（苏州）首席科学家、大阪公立大学教授

袁  俊 -- 九峰山实验室功率器件负责人、碳化硅首席专家

周  琦 -- 电子科技大学教授

张宇昊 -- 香港大学先进半导体和集成电路研究中心副主任、教授

刘   扬 -- 中山大学教授

王德君 -- 大连理工大学教授

周春华 -- 深圳平湖实验室首席科学家

黄  森 -- 中国科学院微电子研究所研究员

杨  树 -- 中国科学技术大学教授

刘  雯 -- 西交利物浦大学教授

房玉龙 -- 中国电科产业基础研究院基础研究部主任

敖金平 -- 日本德岛大学教授，江南大学教授

刘建利 -- 中兴通讯股份有限公司无线射频总工

裴   轶 -- 苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁

李忠辉 -- 中国电科集团的首席专家、中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员

李国强 -- 华南理工大学教授

孙成亮 -- 武汉敏声董事长

陈化冰 -- 南京大学、南大光电前副总裁

左成杰 -- 中国科学技术大学教授

俞  捷 -- 香港科技大学教授

张  辉 -- 浙江大学教授、杭州镓仁半导体董事长

周   弘 -- 西安电子科技大学教授

徐光伟 -- 中国科学技术大学教授

王宏兴 -- 西安交通大学教授

朱嘉琦 -- 哈尔滨工业大学教授

张金风 -- 西安电子科技大学教授

金   鹏 -- 中国科学院半导体研究所研究员

李成明 -- 北京科技大学教授

于彤军 -- 北京大学教授

吴   亮 -- 奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官

刘玉怀 -- 郑州大学教授

程红娟 -- 中国电子科技集团第四十六研究所研究员

徐   军 -- 同济大学教授

邵   帅 -- 浙江大学副教授

王   蓉 -- 浙江大学材料科学与工程学院研究员

张   峰 -- 厦门大学物理科学与技术学院教授

孙   钱 -- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

杨学林 -- 北京大学教授

张源涛 -- 吉林大学教授

贺致远 -- 广东工业大学集成电路学院教授

樊嘉杰 -- 复旦大学青年研究员

王   嘉 -- 日本名古屋大学高等研究院、材料与可持续性系统研究院特聘助理教授

张纪才 -- 北京化工大学教授

张兴旺 -- 中国科学院半导体研究所研究员

孟军华 -- 北京工业大学物理与光电工程学院教授

黄火林 -- 大连理工大学教授 / 主任

严   群 -- 福州大学教授

曾一平 -- 中国科学院半导体研究所研究员

孙小卫 -- 南方科技大学电子与电气工程系讲席教授

刘国旭 -- 北京易美新创科技有限公司联合创始人兼 CTO

云   峰 -- 西安交通大学教授

伊晓燕 -- 中国科学院半导体研究所研究员

汪炼成 -- 中南大学教授

张建立 -- 南昌大学研究员

闫春辉 -- 纳微朗光电科技（河北）有限公司董事长

邱  云 -- 京东方科技集团股份有限公司技术企划部副总监

刘召军 -- 南方科技大学副教授

陆   海 -- 南京大学教授

陈长清 -- 华中科技大学教授

许福军 -- 北京大学教授

闫建昌 -- 山西中科潞安紫外光电科技有限公司总经理，北京航空航天大学教授

孙晓娟 -- 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员

李金钗 -- 厦门大学教授

赵德刚 -- 中国科学院半导体所研究员

张保平 -- 南方科技大学教授

胡晓东 -- 北京大学教授

王建峰 -- 苏州纳维科技有限公司总经理

莫庆伟 -- 老鹰半导体副总裁、首席科学家

曹   峻 -- 上海瞻芯电子科技股份有限公司副总经理

刘建平 -- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

陈雄斌 -- 中国科学院半导体研究所研究员

田朋飞 --复旦大学智能机器人与先进制造创新学院教授

林维明 -- 福州大学教授

沈   超 -- 复旦大学研究员

母凤文 -- 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司董事长

吴超瑜 -- 泉州三安砷化镓板块总经理

张   永 -- 全磊光电股份有限公司董事长

张紫辉 -- 广东工业大学教授

成乔升 -- 中金公司研究部半导体行业研究员、副总经理

陈文成 -- 水晶光电董事长特别助理、业务发展中心常务副总经理及创新业务市场部总经理

王江波 -- 京东方华灿光电股份有限公司副总裁、首席技术官

相   奇 -- 广东芯粤能半导体有限公司副总裁

孙   涛 -- 北京集创北方科技股份有限公司副总裁、副总经理

方子文 -- AIXTRON 中国总经理

潘明清 --武汉星曦光科技有限公司系统总监

张国良 -- 河北普兴电子科技股份有限公司市场总监

陈奕林 -- 厦门光莆电子股份有限公司董事长助理、数智能源事业部总经理

林燕丹 -- 复旦大学教授

瞿   佳 -- 温州医科大学国家眼耳鼻喉疾病临床医学研究中心主任、教授

杨其长 -- 中国农业科学院都市农业研究所智能装备创新团队首席科学家、研究员

郝洛西 -- 同济大学建筑与城市规划学院教授、国际照明学会（CIE）副主席

熊大曦 -- 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员

牟同升 -- 浙江大学教授

魏敏晨 -- 香港理工大学颜色、影像与元宇宙研究中心主任、教授

蔡建奇 -- 中国标准化研究院视觉健康与安全防护实验室主任、研究员

刘   强 -- 武汉大学颜色科学与图像传播研究所所长、副教授

王彦青 -- 复旦大学基础医学院教授

崔锦江 -- 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所康复与治疗研究室主任、研究员

张凤民 -- 哈尔滨医科大学基础医学院教授、国家地方联合工程研究中心主任

蔡本志 -- 哈尔滨医科大学教授

董建飞 -- 苏州大学教授

陈德福 -- 北京理工大学医工融合研究院特聘副研究员

唐国庆 -- 木林森股份有限公司执行总经理

刘   鹰 -- 浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授

泮进明 -- 浙江大学教授

贺冬仙 -- 中国农业大学教授

陈   凯 -- 华普永明光电股份有限公司董事长、总裁

华桂潮 -- 四维生态董事长

徐   虹 -- 厦门通秮科技有限公司总经理

刘厚诚 -- 华南农业大学教授

李绍华 -- 中国科学院植物研究所研究员

......

更多嘉宾及报告人持续确认中！

会议信息

会议时间：2026年11月16-19日

会议地点：中国 · 江苏 · 苏州

主办单位

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）

日程总览

*上述安排仅供参考，最终以实际为准。

费用及权益

*第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）或中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）成员单位在此基础上再享受10%优惠；

*学生参会需提交相关证件；

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策；

*若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费；

*IFWS相关会议（暂定）：开幕大会，POSTER交流展示，第三代半导体标准与检测研讨会，AI算力与数字能源供配电技术合作峰会，第六届车用半导体创新合作峰会，AI算力高速光互联技术与产业应用峰会，Micro LED前沿应用产业峰会，碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术，碳化硅功率电子器件及其封装技术，氮化镓衬底、外延生长及其相关设备技术，化合物半导体射频器件，氮化镓功率电子器件技术，超宽禁带半导体技术，异质异构集成技术及应用峰会，氮化物半导体固态紫外技术及应用；

*SSL相关会议（暂定）：开幕大会，POSTER交流展示，第三代半导体标准与检测研讨会，AI算力与数字能源供配电技术合作峰会，第六届车用半导体创新合作峰会，AI算力高速光互联技术与产业应用峰会，Micro LED前沿应用产业峰会，光品质与光健康，光医疗技术创新应用论坛，异质异构集成技术及应用峰会，氮化物半导体固态紫外技术及应用。

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征文方向

征文流程

1.作者根据征文时间安排提交摘要或全文至投稿平台：http://indico.ifws.org.cn:8686/event/2/（请复制网址浏览器打开&登录&提交）。

特别提醒：投稿者可直接提交论文全文。论文全文录用通知时间为2026年10月22日，请注意查收录用邮件。有疑问请直接联系：尹老师：18811765341。（*请投稿者留意投稿页面提示信息。）

2. 录用方式分为：口头报告、POSTER与入刊会议论文集。

3. 所需准备材料：

·口头报告：作者需准备论文与演示文件（PPT/PDF）；

·POSTER：作者需准备论文与POSTER文件（POSTER需体现投稿编号，作者携带制作好的POSTER至会议举办地点并在POSTER展示区域自行张贴）；

· 入刊会议论文集：根据论文模板准备论文全文。

注：

·官方网站：http://www.ifws.org.cn/paper  提供更多详尽信息，请作者务必按照相应规定和时间要求准备材料，以便顺利通过论文审核。

·录取的论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。

附件：

IFWS&SSLCHINA2026_摘要模板.docx

IFWS&SSLCHINA2026_全文模板.doc

IFWS&SSLCHINA2026_POSTER制作要求.pdf

IFWS&SSLCHINA2026_POSTER_sample.pdf

征文要求

1.基本要求

?尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；

?主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;

?按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过4页;

?论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式。

2.语言要求

?作者须提交文体规范的英文论文；

?演讲语言可以使用中文或英文，但必须用英文演示（PPT或PDF文档）。

注：含有商业性宣传内容的论文，不予安排在论坛演讲。

投稿咨询

邮箱：papersubmission@china-led.net 

尹老师：18811765341（微信号：yly_03_16）

*论文全文录用通知时间为2026年10月22日，请注意查收录用邮件。

参展/赞助/演讲/商务合作

张老师：13681329411，vivi@casmita.com

贾老师：18310277858，jiaxl@casmita.com

往届POSTER交流现场

往届最佳POSTER颁奖现场

*POSTER展示交流&投票评选出最佳POSTER奖，
颁发荣誉证书&奖品。

往届论坛论文集示例

*大会征文投稿会统一进收录论文集，现场领取。

近十年IEEE Xplore收录大会论文

*大会论文会被遴选在IEEE Xplore发表。

近十年IEEE Xplore收录大会论文地址：

IFWS & SSLCHINA 2025：

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/11314870/proceeding

IFWS & SSLCHINA 2024：

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/10835211/proceeding

IFWS & SSLCHINA 2023：https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/10399638/proceeding

IFWS & SSLCHINA 2022:

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/10070854/proceeding

IFWS & SSLCHINA 2021:

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/9675142/proceeding

IFWS & SSLCHINA 2020:

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/9308121/proceeding

IFWS & SSLCHINA 2019:

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/9005308/proceeding

IFWS & SSLCHINA 2018:

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/8574358/proceeding

IFWS & SSLCHINA 2017:

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/8233062/proceeding

IFWS & SSLCHINA 2016:

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/7792513/proceeding

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往届精彩花絮回顾

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