在 AI 数据中心800VDC高压直流母线、固态变压器（SST）以及光伏、储能等高压应用快速发展的背景下，辅助电源正面临输入电压持续升高、功率密度与可靠性同步升级的双重挑战。面向上述场景，远山半导体推出高性能反激PWM控制器HS8609。HS8609 依托其核心的1700V PSJ（Polarization Super Junction，极化超级结）GaN器件，支持最高250kHz 开关频率，最大输出功率可达100W，以精简的外围方案助力AI算力电源、SST及光储充辅助电源实现高频化、小型化与高可靠性升级。

GaN与控制芯片合封一体化

精简系统BOM

HS8609采用 GaN与控制芯片合封一体化设计，将PWM控制器、驱动电路以及GaN功率器件集成在单颗芯片内部，省去传统方案的外部功率 MOS管，大幅精简电源外围元器件数量，简化PCB布局，降低整机 BOM成本，同时缩小电源整机体积。

1700V PSJ GaN：

极化电荷平衡 高可靠性

集成GaN器件采用远山自主研发的1700V PSJ GaN器件。PSJ极化超级结依托GaN/AlGaN/GaN双异质结极化电荷平衡，将漂移区电场均匀化，突破传统横向GaN耐压瓶颈，抑制电流崩塌与动态 Ron 劣化，可实现1700V高压与低比导通电阻。

准谐振控制+250kHz高频

推动辅源小型化

芯片采用准谐振（QR）电流模式控制，最高开关频率可达250kHz。高频工作特性可显著减小变压器、电解电容等无源器件体积，助力辅源系统小型化。HS8609内置欠压锁定UVLO、VDD过压保护、过流AOCP、输出短路SCP、过载OLP、输出过压OVP、过热OTP等电源保护机制，无需额外增加大量外围保护器件，进一步简化电路、提升电源可靠性。

ESOP-8 封装与散热设计

兼顾量产与可靠性

HS8609采用ESOP-8封装，封装底部自带大尺寸散热焊盘，通过PCB铜箔与过孔将热量有效传导至整板，在 <100W辅源功率段形成充足散热冗余，保障高温环境下的长期可靠运行。该封装适合高密度贴片PCB生产，适配自动化SMT产线，量产便利性高。

结语

HS8609以1700V PSJ GaN、最高250kHz开关频率、最大100W输出功率，为AI 800VDC、SST及光储充辅助电源提供高性能、高可靠的反激PWM控制方案。

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