SK海力士：去美建厂先放行对华设备

NAND闪存价格暴涨7倍！SK海力士拟以赴美建厂为筹码，推进大连NAND产线规划

10月15日，据财闻海外资讯，SK海力士正以在美国建厂为条件，向美国政府申请许可，为其中国大连工厂增产引进美国产半导体设备。

报道称，SK海力士收购英特尔NAND闪存业务后成立的子公司Solidigm（索尔达姆），计划在大连厂区“B区（ModeB）”闲置区域新增设备，生产NAND闪存。B区厂房2023年完工，但受存储市场低迷影响，设备部署工作一直未能完成。

一名消息人士称，扩大中国产能，将有助于Solidigm筹措在美国建设NAND工厂的资金。另一名消息人士透露，Solidigm最早明年还在考虑IPO（上市）。

路透社上月曾报道，Solidigm正考虑在美国纽约州北部选址建设NAND工厂，该地点为热门候选地。SK海力士向路透社发送声明表示：“B区设备安装事项正与美国政府密切协商并在获得许可后推进，并未推进产能扩张。”

美国商务部去年取消了针对SK海力士、三星电子中国工厂引进美国设备的通用许可。此后美方政策明确：仅允许用于现有工厂维持运营的设备，不再批准用于产能扩张或技术升级的设备。

市场调研机构TechInsights分析：受AI数据中心需求拉动，NAND闪存价格自2023年年中以来暴涨7倍。