有研新材料股份有限公司集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目的公告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。

重要内容提示：

 项目名称：集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目

 项目预计投资额：4.86 亿元

 本项目可行性研究报告经公司第九届董事会第二十八次临时会议审议通过，无需提交股东会审议

 风险提示:项目建设可能存在进度、产能及收益不及预期的风险；项目建成后，面对更为激烈的市场竞争格局，行业风险和运营风险仍是该项目需重点关注和防范的。敬请投资者注意投资风险。

随着全球半导体产业复苏与扩张驱动，半导体靶材需求继续增长，公司现有德州基地铜系、钽系靶材产能已接近饱和，预计将出现明显产能缺口，无法满足国内外头部客户的订单需求。为此，公司计划推出“集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目”，进一步优化产品结构，新增高纯铜系靶、钽靶、钛靶高端靶材产能30,000 块/年，实现高端靶材规模化量产，提高关键材料国产化率，助力公司建设世界一流靶材企业。具体项目情况如下：

一、项目基本情况

1. 项目名称：

集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目

2. 承建单位及地点：

有研亿金新材料（山东）有限公司，现有厂区预留地。

3. 建设内容及性质：

该项目属经营性固定资产投资项目，新建 1 座厂房，新增建筑面积约 1.65万平方米，建设高纯铜及铜合金靶、钽靶、钛靶等产线。

4. 建设规模：

新增高纯铜及铜合金靶、钽靶、钛靶产能 30,000 块/年；项目建成后，进一步支撑公司“十五五”期间靶材产能提升和产业布局优化。

5. 建设周期：

项目计划于 2026 年 9 月启动建设；2027 年 9 月正式投产，释放产能；2028 年12 月投资完成。

6. 投资金额：

项目总投资4.86 亿元，资金来源为自有资金或自筹资金。

二、项目的意义及必要性

本次扩产项目聚焦先进制程用高纯铜及铜合金靶材、钽靶材等集成电路核心材料，符合国家对电子信息材料领域技术攻关和产能扩张的双重支持导向，具备明确的政策合规性与扶持适配性。

本次扩产项目的实施将提升公司高纯铜及铜合金、高纯钽、高纯钛靶材产能 30,000 块/年，提升我国高端溅射靶材的国产化率，攻克 7nm 以下先进制程靶材制备技术瓶颈，填补国内高端产品空白，对筑牢我国半导体产业链供应链安全屏障具有重要战略意义。

三、项目的风险分析及应对

本项目可能存在宏观经济政策变化、市场竞争格局变化等风险因素，公司同步建立了动态调整、政策追踪、差异化布局等应对机制，尽量控制风险。除此以外，本项目可能存在建设进度不及预期风险；项目建成以后，因设备、工艺调试、人员调整、市场环境变化等因素，可能会出现产能、营收及利润不及预期的风险。敬请投资者注意投资风险。

四、项目审议情况

（一）战略委员会审议情况

2026 年 7 月 30 日，公司第九届董事会战略委员会第五次会议通过了《关于集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目可行性研究报告的议案》，同意将《关于集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目可行性研究报告的议案》提交董事会审议。

（二）董事会审议情况

2026 年 7 月 30 日，公司召开第九届董事会第二十八次临时会议，审议通过了《关于集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目可行性研究报告的议案》，同意公司集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目可行性研究报告，投资 4.86 亿元在有研亿金新材料（山东）有限公司现有厂区预留地实施集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目，资金来源为公司自有资金或自筹资金。

五、结论

本项目建设符合国家产业政策和公司长远发展战略，建设必要性充分、技术方案成熟可行、投资规模合理、经济效益与社会效益显著，且各类潜在风险均有完善的防控措施，项目整体具备全面可行性。

特此公告。

有研新材料股份有限公司董事会

2026 年 7 月 31 日